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深圳市云海光电科技有限公司奉行“求实创新、严格高效、客户满意”的经营方针,诚信为本,为用户提供一主产品、一流服务的经营理念,愿与新老客户共同努力,携手发展,为推动世界光电显示行业加速发展而奋斗!
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如何做到低本钱而又能让LED显示屏质量能到达“三高”呢?这就需要在LED显示屏产业链各个环节上采纳一系列办法。如选用新技能、新布局、新工艺、新材料等。LED显示屏作为如今新兴产业,其技能方面是十分重视的,也是全体过程中的核心问题。

 经过多年稳健经营,公司依旧热情不减,在LED创新的道路上孜孜不倦的探索,力求铸造精品,追求卓越。持续更新和改进产品,坚持“质量第一、 速度第一、信誉第一、服务第一”的宗旨,使公司立于不败之地。诚愿与广大海内外的各界朋友携手共同打造LED光电行业辉煌的明天。

LED显示屏IP等级的划分
防护等级系统是由IEC(International Electro Technical Commission)所起草。 将LED显示屏依其防尘、防止外物侵入、防水、防湿气之特性加以分级。这里所指的外 物包含工具、人的手指等均不可接触到灯具内之带电部分,以免触电。
IP防护等级是由两个数字所组成,第一个数字表示LED显示屏防尘、防止外物侵入的等 级;第二个数字表示LED显示屏防湿气、防水侵入的密闭程度。数字越大,表示其防护 等级越高。防尘等级 (用第一个X表示), 防水等级 (用第二个X表示) 第一X表示数字代码的意义。
0 :没有保护
1 :防止大的固体侵入
2 :防止中等大小的固体侵入
3 :防止小固体进入侵入
4 :防止物体大于 1mm 的固体进入
5 :防止有害的粉尘堆积
6 :完全防止粉尘进入
第二X 表示数字代码的意义
0 :没有保护
1 :水滴滴入到外壳无影响
2 :当外壳倾斜到 15 度时,水滴滴入到外壳无影响
3 :水或雨水从 60 度角落到外壳上无影响
4 :液体由任何方向泼到外壳没有伤害影响
5 :用水冲洗无任何伤害
6 :可用于船舱内的环境
7 :可于短时间内耐浸水( 1m )
8 :于一定压力下长时间浸水
例:有LED显示屏标示为 IP65,表示产品可以完全防止粉尘进入及可用水冲洗无任何伤害。而愿景光在高交会上曾展示过一款P8全防护LED显示屏,可以在一定压力下长时间浸入水中播放。是一款超IP67,达到IP68标准的高防护全天候LED显示屏。
   LED外延片技术发展趋势及LED外延片工艺
从LED工作原理可知,外延片材料是LED的核心部分,事实上,LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延片材料。外延片技术与设备是 外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,简称MOCVD)技术生长III-V族,II-VI族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。下面是关于LED未来外延片技术的一些发展趋势。
1.改进两步法生长工艺
目前商业化生产采用的是两步生长工艺,但一次可装入衬底数有限,6片机比较成熟,20片左右的机台还在成熟中,片数较多后导致外延片均匀性不够。发展趋势是 两个方向:一是开发可一次在反应室中装入更多个衬底外延片生长,更加适合于规模化生产的技术,以降低成本;另外一个方向是高度自动化的可重复性的单片设备。
2.氢化物汽相外延片(HVPE)技术
采用这种技术可以快速生长出低位元错密度的厚膜,可以用做采用其他方法进行同质外延片生长的衬底。并且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶GaN芯片的替代品。HVPE的缺点是很难精确控制膜厚,反应气体对设备具有腐蚀性,影响GaN材料纯度的进一步提高。
3.选择性外延片生长或侧向外延片生长技术
采用这种技术可以进一步减少位元错密度,改善GaN外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层GaN,再在其上沉积一层多晶态的 SiO掩膜层,然后利用光刻和刻蚀技术,形成GaN视窗和掩膜层条。在随后的生长过程中,外延片GaN首先在GaN视窗上生长,然后再横向生长于SiO条 上。
 舞台P3LED高清显示屏价格要多少钱一平方  4.悬空外延片技术(Pendeo-epitaxy)
采用这种方法可以大大减少由于衬底和外延片层之间晶格失配和热失配引发的外延片层中大量的晶格缺陷,从而进一步提高GaN外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底 上( 6H-SiC或Si)采用两步工艺生长GaN外延片层。然后对外延片膜进行选区刻蚀,一直深入到衬底。这样就形成了GaN/缓冲层/衬底的柱状结构和沟槽交替 的形状。然后再进行GaN外延片层的生长,此时生长的GaN外延片层悬空于沟槽上方,是在原GaN外延片层侧壁的横向外延片生长。采用这种方法,不需要掩膜,因此 避免了GaN和醃膜材料之间的接触。
5.研发波长短的UV LED外延片材料
它为发展UV三基色萤光粉白光LED奠定扎实基础。可供UV光激发的高效萤光粉很多,其发光效率比目前使用的YAG:Ce体系高许多,这样容易使白光LED上到新臺阶。
  舞台P3LED高清显示屏价格要多少钱一平方  6.开发多量子阱型芯片技术
多量子阱型是在芯片发光层的生长过程中,掺杂不同的杂质以制造结构不同的量子阱,通过不同量子阱发出的多种光子复合直接发出白光。该方法提高发光效率,可降低成本,降低包装及电路的控制难度;但技术难度相对较大。
7.开发「光子再迴圈」技术
日本Sumitomo在1999年1月研制出ZnSe材料的白光LED。其技术是先在ZnSe单晶基底上生长一层CdZnSe薄膜,通电后该薄膜发出的蓝 光与基板ZnSe作用发出互补的黄光,从而形成白光光源。美国Boston大学光子研究中心用同样的方法在蓝光GaN-LED上叠放一层AlInGaP半 导体复合物,也生成了白光。
LED外延片工艺
衬底>>结构设计>>缓冲层生长>>N型GaN层生长>>多量子阱发光层生长>>P型GaN层生长>>退火>>检测(光萤光、X射线)>>外延片片。
外延片>>设计、加工掩模版>>光刻>>离子刻蚀>>N型电极(镀膜、退火、刻蚀)>>P型电极(镀膜、退火、刻蚀)>>划片>>芯片分检、分级。

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